مقدمه
نحوه عملکرد
ایجاد کانالی برای عبور جریان
ترانزیستور NMOS
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ VDS
اشباع ترانزیستور
بدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ ترانزیستور MOSFET
جریان در ناحیه تریود
جریان در ناحیه اشباع
تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)
ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)
ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستورها
شمای ترانزیستور NMOS
عملکرد ترانزیستور در ناحیه زیر ولتاژ آستانه
مشخصه iD-VDS
مقاومت کانال
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان
رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
مقاومت خروجی
ترانزیستور PMOS
اثر بدنه و حرارت
شکست و محافظت از ورودی
مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC
استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده
مشخصه انتقال ترانزیستور: کار با سیگنال بزرگ
بدست آوردن مشخصه انتقال به روش گرافیکی
مشخصه ولتاژ vi-vo
انتخاب نقطه کار مناسب
تحلیل عملکرد تقویت کننده از روی رابطه
روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET
بایاس از طریق ثابت نگه داشتن VGS
تغییر جریان بواسطه تغییر در مشخصه های ترانزیستور های مختلف
بایاس از طریق ثابت نگه داشتن VG و قرار دادن مقاومت در سورس
مدار عملی
بایاس از طریق مقاومت فیدبک
بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت
مدار منبع جریان ثابت (Current Mirror)
مدل سیگنال کوچک
نقطه بایاس DC
جریان سیگنال در درین
گین ولتاژ
مدار معادل سیگنال کوچک
آنالیز سیگنال کوچک
مدلT با در نظر گرفتن مقاومت خروجی
تقویت کننده های یک طبقه
تقویت کننده سورس مشترک
مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک
تاثیر مقاومت خروجی ترانزیستور
تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس
تقویت کننده گیت مشترک
مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک
مشخصات تقویت کننده گیت مشترک
عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ
یک گیت NOT با استفاده از CMOS
نقطه کار برای ورودی صفر
مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS  

در این مقاله المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد. ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد. اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند. دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT MOSFET ازBJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.

اثر بدنه
برای عملکرد صحیح ترانزیستور هر دو پیوند BS وBD باید بصورت معکوس بایاس شده باشند. معمولا بدنه یک ترانزیستور NMOS به منفی ترین ولتاژ مدار وصل میشود. با افزایش VSB ناحیه تخلیه بین پایه و سورس نیز بزرگتر میشود و در نتیجه در ناحیه زیر کانال پیشروی مینماید. از آنجائیکه بار منفی زیادی در ناحیه تخلیه جمع شده در نتیجه ولتاژ لازم برای ایجاد کانال افزایش می یابد. به این اثر body Effect گفته میشود. این اثر میتواند کارائی مدار را تاحد زیادی تحت تاثیر قرار دهد.

اثر حرارت
مقدار Vt به ازای هر درجه افزایش در حرارت به اندازه ~۲mV افزایش پیدا میکند. مقدار kn با حرارت کاهش پیدا میکند در نتیجه مقدار iD با افزایش دما کاهش پیدا میکند. برای یک مقدار ثابت از ولتاژ بایاس میتوان گفت که در حالت کلی با افزایش دما مقدار جریان iD کاهش می یابد.

شکست و محافظت از ورودی
با افزایش ولتاژ درین به نقطه ای میرسیم که پیوند درین وپایه بصورت بهمنی شکست پیدا میکند (بین ۲۰ تا ۱۵۰ ولت) و باعث میشود تا جریان خیلی زیاد شود.(Weak avalanche) در ترانزیستور هایی که ناحیه کانال کوچک باشد با افزایش ولتاژ درین ناحیه تخلیه گسترش زیادی پیدا کرده و تا سورس امتداد پیدا می نماید. این پدیده punch through نامیده شده و باعث افزایش زیاد جریان میشود. پیدیده شکست دیگری وجود دارد که با افزایش ولتاژ گیت-سورس رخ میدهد ( در حدود ۳۰ ولت). این پدیده باعث از بین رفتن عایق ناحیه گیت شده و به ترانزیستور ماسفت صدمه غیر قابل برگشت میزند. (Gate-oxide breakdown ) باید توجه شودکه مقاومت ورودی MOSFET خیلی بالا و خازن ورودی آنها خیلی کم است لذا یک بار الکتریکی ساکن کم هم میتواند ولتاژ گیت را از آستانه شکست بالا برده و ترانزیستور را بسوزاند. ( ازاینرو بایدازلمس کردن ترانزیستور با دست خودداری کرد). البته امروزه اکثر نیمه هادی های MOSFET دارای مدارات دیودی درورودی برای محافظت ازترانزیستور میباشند.

– لطفا پس از مطالعه کامل توضیحات این مقاله پاورپوینت و همچنین پس از دانلود رایگان بخشی از پاورپوینت و بررسی آن و حصول اطمینان، اقدام به خرید پاورپوینت نمایید.

– پس از پرداخت آنلاین هزینه، بلافاصله لینک دانلود مقاله با فرمت پاورپوینت (ppt) روی صفحه سایت ظاهر خواهد شد و همچنین به ایمیل شما نیز ارسال خواهد شد.

– نحوه فروش پاورپوینت به صورت پرداخت آنلاین میباشد و حتما باید رمز دوم داشته باشید. برای مشاهده راهنمای پرداخت آنلاین و دانلود پاورپوینت اینجا کلیک نمایید.

– اگر امکان خرید آنلاین را ندارید میتوانید به صورت آفلاین (واریز به حساب و یا کارت به کارت) هزینه پاورپوینت را واریز کرده و پاورپوینت را دریافت نمایید. جهت پرداخت آفلاین اینجا کلیک نمایید.

– پاورپوینتی که دریافت خواهید کرد به صورت کامل قابلیت ویرایش، افزایش یا کاهش صفحات با همان قالب و تم و نیز افزودن افکت یا متحرک سازی جهت ارائه سمینار و کنفرانس را دارا میباشند. جهت آشنایی و آموزش امکانات نرم افزار پاورپوینت اینجا کلیک نمایید.

– فایل پاورپوینتی که بعد از خرید برای شما ارسال میشود به صورت فشرده (فایل zip) میباشد. پس شما میبایستی با کامپیوتر عمل خرید را انجام دهید و یا اگر با موبایل خریداری میکنید میبایستی نرم افزارهای مربوطه را داشته باشید. برای آشنایی با فایل فشرده و نحوه تبدیل آن اینجا کلیک نمایید.